دانلود مقاله براورد عملکرد ترانزیستورهای بدون اتصال چند گیتی
تعداد کلمات فایل انگلیسی:3500 کلمه 7 صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:15 صفحه word فونت 14 B Lotus
براورد عملکرد ترانزیستورهای بدون اتصال چند گیتی
چکیده
این مقاله شبیه سازی الکتریکی یک نوع ترانزیستور جدید را توصیف می کند. این نوع ترانزیستور، ترانزیستور چند گیتی بدون اتصال نام دارد (MuGFET). این دستگاه جدید، هیچ گونه پیوندی ندارد.نسبت به ترانزیستورهای معکوس کلاسیک که در منبع و حالت تخلیه، PN پیوند دارند، ترانزیستورهای MuGFET، فرایند ساخت ساده تر، تنوع کمتر و خواص الکتریکی بهتری هستند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد، بدون اتصال بودن MuGFET یک ویژگی امیدوار کننده برای کاربری های آینده دکانانومتر MOSFET می باشد.
Performance estimation of junctionless multigate transistors
abstract
This paper describes the simulation of the electrical characteristics of a new transistor concept called the
‘‘Junctionless Multigate Field-Effect Transistor (MuGFET)”. The proposed device has no junctions, a sim-
pler fabrication process, less variability and better electrical properties than classical inversion-mode
devices with PN junctions at the source and drain. The simulation results indicate that the junctionless
MuGFET is a very promising candidate for future decananometer MOSFET applications
کد:1-10409
دانلود رایگان فایل انگلیسی:
رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com
دانلود مقاله دات کام 
توضیحات محصول
دانلود مقاله براورد عملکرد ترانزیستورهای بدون اتصال چند گیتی
تعداد کلمات فایل انگلیسی:3500 کلمه 7 صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:15 صفحه word فونت 14 B Lotus
براورد عملکرد ترانزیستورهای بدون اتصال چند گیتی
چکیده
این مقاله شبیه سازی الکتریکی یک نوع ترانزیستور جدید را توصیف می کند. این نوع ترانزیستور، ترانزیستور چند گیتی بدون اتصال نام دارد (MuGFET). این دستگاه جدید، هیچ گونه پیوندی ندارد.نسبت به ترانزیستورهای معکوس کلاسیک که در منبع و حالت تخلیه، PN پیوند دارند، ترانزیستورهای MuGFET، فرایند ساخت ساده تر، تنوع کمتر و خواص الکتریکی بهتری هستند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد، بدون اتصال بودن MuGFET یک ویژگی امیدوار کننده برای کاربری های آینده دکانانومتر MOSFET می باشد.
Performance estimation of junctionless multigate transistors