دانلود مقاله یک LNA باند فوق وسیع 3-10 گیگاهرتزی 2.76mW با استفاده از تکنولوژی CMOS 0.18 میکرونی
تعداد کلمات فایل انگلیسی:2610کلمه 4صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:12صفحه word فونت14 Arial
خلاصه – یک تقویت کننده گیت مشترک (CG) با انرژی پایین (2.76mW) کم نویز (LNA) برای سیستم های فوق وسیع که از تکنولوژی CMOS 0.18 میکرونی استفاده میکنند تشریح شده است. برخلاف انداکتورهای موازی تکی (Ls) ما از یک شبکه تطبیقی جدید که از Ls1-Rs1 سری که خود با یک مجموعه Ls2-Rs2 موازی ، سری شده اند برای افزایش پهنای باند ورودی استفاده میکنیم . S21 بالا و هموار با استفاده از انداکتور اتصالی Lc و انداکتور قله ای Ld2 به ترتیب برای جبران افت بهره (gain) در فرکانس های متوسط و فرکانس های بالا به دست می اید. علاوه بر این برای مقادیر مناسب Lc و Ld2 می توان NF کم و هموار (یعنی ، فاکتور Q شدیداً میرا برای پاسخ فرکانسی NF مرتبه دو باشد ) نیز به دست اورد. برای باندهای بالای 3 تا 10 گیگاهرتز ، LNA منجر به S21 با مقدار دسی بل، NF کمینه 3.9 دسی بل ( در 4 گیگاهرتز) و NF متوسط 4.6 دسی بل می شود. اتلاف انرژی 2.76 mW و عدد شایستگی (FOM) 4.3 بود. هر دو از بهترین نتایجی بود که تا کنون برای CMOS UWB LNA ها گزارش شده است.
A 2.76 mW, 3-10 GHz Ultra-Wideband LNA Using 0.18 mm CMOS Technology
Abstract– A low-power (2.76 mW) common-gate (CG) low- standard 0.18 mm CMOS technology is demonstrated. Instead of the traditional single parallel inductor (LS1 only), we propose aa parallel LS2-RS2 to enhance the input matching bandwidth. Flat and high S21 was achieved by using the connecting inductor LC and the peaking inductor LD2 to compensate the gain loss at medium-frequency and high-frequency, respectively. In addition, for suitable values of LC and LD2, flat and low NF (i.e. a nearly critically-damped Q-factor for the second-order NF frequency response) can also be achieved. Over the 3-10 GHz band of interest, the LNA achieved S21 of 10.1±1.7 dB, minimum NF of 3.9 dB (at 4 GHz) and an average NF of 4.6 dB. The power dissipation was 2.76 mW, and the corresponding figure-of-merit (FOM) was 4.3. Both are of the best results ever reported for a CMOS UWB LNA
کد:1-9373
دانلود رایگان فایل انگلیسی:
رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com
دانلود مقاله دات کام 
توضیحات محصول
دانلود مقاله یک LNA باند فوق وسیع 3-10 گیگاهرتزی 2.76mW با استفاده از تکنولوژی CMOS 0.18 میکرونی
تعداد کلمات فایل انگلیسی:2610کلمه 4صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:12صفحه word فونت14 Arial
خلاصه – یک تقویت کننده گیت مشترک (CG) با انرژی پایین (2.76mW) کم نویز (LNA) برای سیستم های فوق وسیع که از تکنولوژی CMOS 0.18 میکرونی استفاده میکنند تشریح شده است. برخلاف انداکتورهای موازی تکی (Ls) ما از یک شبکه تطبیقی جدید که از Ls1-Rs1 سری که خود با یک مجموعه Ls2-Rs2 موازی ، سری شده اند برای افزایش پهنای باند ورودی استفاده میکنیم . S21 بالا و هموار با استفاده از انداکتور اتصالی Lc و انداکتور قله ای Ld2 به ترتیب برای جبران افت بهره (gain) در فرکانس های متوسط و فرکانس های بالا به دست می اید. علاوه بر این برای مقادیر مناسب Lc و Ld2 می توان NF کم و هموار (یعنی ، فاکتور Q شدیداً میرا برای پاسخ فرکانسی NF مرتبه دو باشد ) نیز به دست اورد. برای باندهای بالای 3 تا 10 گیگاهرتز ، LNA منجر به S21 با مقدار دسی بل، NF کمینه 3.9 دسی بل ( در 4 گیگاهرتز) و NF متوسط 4.6 دسی بل می شود. اتلاف انرژی 2.76 mW و عدد شایستگی (FOM) 4.3 بود. هر دو از بهترین نتایجی بود که تا کنون برای CMOS UWB LNA ها گزارش شده است.
A 2.76 mW, 3-10 GHz Ultra-Wideband LNA Using 0.18 mm CMOS Technology
Abstract– A low-power (2.76 mW) common-gate (CG) low- standard 0.18 mm CMOS technology is demonstrated. Instead of the traditional single parallel inductor (LS1 only), we propose aa parallel LS2-RS2 to enhance the input matching bandwidth. Flat and high S21 was achieved by using the connecting inductor LC and the peaking inductor LD2 to compensate the gain loss at medium-frequency and high-frequency, respectively. In addition, for suitable values of LC and LD2, flat and low NF (i.e. a nearly critically-damped Q-factor for the second-order NF frequency response) can also be achieved. Over the 3-10 GHz band of interest, the LNA achieved S21 of 10.1±1.7 dB, minimum NF of 3.9 dB (at 4 GHz) and an average NF of 4.6 dB. The power dissipation was 2.76 mW, and the corresponding figure-of-merit (FOM) was 4.3. Both are of the best results ever reported for a CMOS UWB LNA
کد:1-9373
دانلود رایگان فایل انگلیسی:
رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com