دانلود مقاله GHzتا5.8GHzبا باند عبور آهنگین از 4.6 LNAبرای توقف بالونCMOSنام پروژه: همهمه
تعداد کلمات فایل انگلیسی:3119کلمه 4صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:10صفحه word فونت14 Arial
خلاصه: یک تقویت کننده مقاومت بازگشتی کم صدای فشرده(LNA (با ورودی یکطرفه و خروجی های مختلف برای دریافت کننده های بیسیم چند استانداردی تا 6 GHzحاضر شده است. برای سست کردن فیلتر های خارجی RFو نیاز های خطی LNA،یک باند عبورLCشامل یک فرکانس مرکز آهنگین از4.6تا5.8گیگا هرتز میشود.LNAدر فناوری 65نانومترCMOSاجرا میشود و یک افزایش مشخص تا 30دسیبل و یک IIp3خطی بین -6.5گیگا هرتز تا -10.3گیگا هرتز را ضمیمه میکند. به خاطر تکنیک های توقف صدا شکل صدا (NF) به مقدار کم 1.6دسیبل در باند بهره میرسد. مصرف توان زیر16میلی وات در 1.6ولت یکبار مونتاژ است. فضای فعال چوبی 154تا197میکرومتر است. پس شیوه LNAپیشنهادی یک روش سود آور برای تباهی منبع براساس پهنای باند باریک LNAبا عملکرد های قابل مقایسه است. از وقتی هماهنگی مقاومت ظاهری ورودی در پهنای باند زیاد انجام شده،LNAمیتواند در کاربرد های قابل دوباره سازی چند استاندارد بی سیم استفاده شود.
مقدمه
برای دریافت کننده های رادیویی چند استانداردی جدید سر جلویی RFآهنگین باید باند فرکانس تا 6گیگا هرتز را پوشش دهند.LNAهای با پهنای باند بالا با درجه خطی و بهره بالا کلید هایی برای ممکن ساختن راه حل های رادیویی با درجه پویایی بالا و تشکیل شده به صورت دیجیتالی هستند. برای حداقل کردن هزینه های اجزای خارجی یک LNAورودی یکطرفه و بالون یکپارچه و خروجی تفاضلی مورد نیاز است. به عنوان بالون در تراشه هر کدام از ساختارهای تبدیل شونده انفعالی یا بالون های فعال میتوانند استفاده شوند. تبدیل شونده های انفعالی معمولا فضای بزرگی مصرف میکنند و کمبود شکل کلی صدا را محدود میکند. به علاوه بالون های انفعالی معمولا ابزار پهنای باند باریک هستند که آن ها را غیر قابل استفاده برای دوباره سازی راه حل های چند باندی میکند. در مقایسه ،یک LNAبالون فعال میتواند یک هماهنگی مقاومت ظاهری ورودی باند پهن با قدرت و فضای بهتر و حتی NFبهتر فراهم کند. مکان شناسی های مختلف یک LNAبالون فعال در بخش 2بررسی میشود.
CMOS Noise Canceling Balun LNA with Tunable Bandpass from 4.6 GHz to 5.8 GHz
Abstract—A compact resistive-feedback low-noise amplifier (LNA) with single-ended input and differential output for multi-standard wireless receivers up to 6 GHz is presented. To relax external RF filters and LNA linearity requirements, an on-chip LC bandpass load is included with a continuously tunable center frequency from 4.6 GHz to 5.8 GHz. The LNA is implemented in 65 nm CMOS technology and achieves a measured gain up to 30 dB and an IIP3 linearity between -6.5 dbm and -10.3 dBm. Due to noise cancelation techniques the noise figure (NF) reaches a low value of 1.6 dB in the band of interest. The power consumption is below 16 mW at 1.2 V single supply. The active chip area is 154 µm * 197 µm. Therefore the proposed LNA structure is a cost- effective alternative to source-degeneration based narrowband LNA’s with comparable performance. Since wide-band input impedance matching is employed, the LNA can be used in re- configurable multi-standard wireless applications
- INTRODUCTION
For modern multi-standard radio receivers, tunable RF front-ends are required to cover frequency bands up to 6 GHz. Wide-band LNA’s with high linearity and high gain are key blocks enabling digitally assisted high dynamic range radio solutions. To minimize the costs of external components, a single-ended input LNA with integrated balun and differential output is required. As on-chip baluns either passive trans- former structures or active baluns can be used. The passive transformers usually consumes large area and the loss limits the overall noise figure (NF). Furthermore passive baluns are usually narrow-band devices which makes them unusable for reconfigurable multi-band solutions. In contrast, an active balun LNA can provide a wide-band input impedance matching with improved power and area and even better NF. Different topologies of active balun LNA’s will be discussed in Sec- tion II
کد:2-9374
دانلود رایگان فایل انگلیسی:
رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com
دانلود مقاله دات کام 
توضیحات محصول
دانلود مقاله GHzتا5.8GHzبا باند عبور آهنگین از 4.6 LNAبرای توقف بالونCMOSنام پروژه: همهمه
تعداد کلمات فایل انگلیسی:3119کلمه 4صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:10صفحه word فونت14 Arial
خلاصه: یک تقویت کننده مقاومت بازگشتی کم صدای فشرده(LNA (با ورودی یکطرفه و خروجی های مختلف برای دریافت کننده های بیسیم چند استانداردی تا 6 GHzحاضر شده است. برای سست کردن فیلتر های خارجی RFو نیاز های خطی LNA،یک باند عبورLCشامل یک فرکانس مرکز آهنگین از4.6تا5.8گیگا هرتز میشود.LNAدر فناوری 65نانومترCMOSاجرا میشود و یک افزایش مشخص تا 30دسیبل و یک IIp3خطی بین -6.5گیگا هرتز تا -10.3گیگا هرتز را ضمیمه میکند. به خاطر تکنیک های توقف صدا شکل صدا (NF) به مقدار کم 1.6دسیبل در باند بهره میرسد. مصرف توان زیر16میلی وات در 1.6ولت یکبار مونتاژ است. فضای فعال چوبی 154تا197میکرومتر است. پس شیوه LNAپیشنهادی یک روش سود آور برای تباهی منبع براساس پهنای باند باریک LNAبا عملکرد های قابل مقایسه است. از وقتی هماهنگی مقاومت ظاهری ورودی در پهنای باند زیاد انجام شده،LNAمیتواند در کاربرد های قابل دوباره سازی چند استاندارد بی سیم استفاده شود.
مقدمه
برای دریافت کننده های رادیویی چند استانداردی جدید سر جلویی RFآهنگین باید باند فرکانس تا 6گیگا هرتز را پوشش دهند.LNAهای با پهنای باند بالا با درجه خطی و بهره بالا کلید هایی برای ممکن ساختن راه حل های رادیویی با درجه پویایی بالا و تشکیل شده به صورت دیجیتالی هستند. برای حداقل کردن هزینه های اجزای خارجی یک LNAورودی یکطرفه و بالون یکپارچه و خروجی تفاضلی مورد نیاز است. به عنوان بالون در تراشه هر کدام از ساختارهای تبدیل شونده انفعالی یا بالون های فعال میتوانند استفاده شوند. تبدیل شونده های انفعالی معمولا فضای بزرگی مصرف میکنند و کمبود شکل کلی صدا را محدود میکند. به علاوه بالون های انفعالی معمولا ابزار پهنای باند باریک هستند که آن ها را غیر قابل استفاده برای دوباره سازی راه حل های چند باندی میکند. در مقایسه ،یک LNAبالون فعال میتواند یک هماهنگی مقاومت ظاهری ورودی باند پهن با قدرت و فضای بهتر و حتی NFبهتر فراهم کند. مکان شناسی های مختلف یک LNAبالون فعال در بخش 2بررسی میشود.
CMOS Noise Canceling Balun LNA with Tunable Bandpass from 4.6 GHz to 5.8 GHz
Abstract—A compact resistive-feedback low-noise amplifier (LNA) with single-ended input and differential output for multi-standard wireless receivers up to 6 GHz is presented. To relax external RF filters and LNA linearity requirements, an on-chip LC bandpass load is included with a continuously tunable center frequency from 4.6 GHz to 5.8 GHz. The LNA is implemented in 65 nm CMOS technology and achieves a measured gain up to 30 dB and an IIP3 linearity between -6.5 dbm and -10.3 dBm. Due to noise cancelation techniques the noise figure (NF) reaches a low value of 1.6 dB in the band of interest. The power consumption is below 16 mW at 1.2 V single supply. The active chip area is 154 µm * 197 µm. Therefore the proposed LNA structure is a cost- effective alternative to source-degeneration based narrowband LNA’s with comparable performance. Since wide-band input impedance matching is employed, the LNA can be used in re- configurable multi-standard wireless applications
For modern multi-standard radio receivers, tunable RF front-ends are required to cover frequency bands up to 6 GHz. Wide-band LNA’s with high linearity and high gain are key blocks enabling digitally assisted high dynamic range radio solutions. To minimize the costs of external components, a single-ended input LNA with integrated balun and differential output is required. As on-chip baluns either passive trans- former structures or active baluns can be used. The passive transformers usually consumes large area and the loss limits the overall noise figure (NF). Furthermore passive baluns are usually narrow-band devices which makes them unusable for reconfigurable multi-band solutions. In contrast, an active balun LNA can provide a wide-band input impedance matching with improved power and area and even better NF. Different topologies of active balun LNA’s will be discussed in Sec- tion II
کد:2-9374
دانلود رایگان فایل انگلیسی:
رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com