دانلود مقاله طراحي نیم افزایشگر کم مصرف و سرعت بالا با استفاده از تکنيک MTCMOS در حالت 45 نانومتر
تعداد کلمات فایل انگلیسی:1500 کلمه 5 صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:14 صفحه word فونت 12 B Nazanin
طراحي نیم افزایشگر کم مصرف و سرعت بالا با استفاده از تکنيک MTCMOS در حالت 45 نانومتر
چکیده
در این مقاله یک سلول نیمه افزایشگر کم قدرت با سرعت بالا جدید ارائه شده است. مسیر بحرانی از دروازه AND و یک دروازه EX-OR تشکیل شده است. این سلول سرعت بالاتر، مصرف انرژی پایین تر را نسبت به اجرای استاندارد نیم افزایش دهنده ارائه میدهد. در این مقاله یک تکنیک MTCMOS (نیمه هادی اکسید فلزی مکمل چند آستانه ای) برای کاهش جریان نشت و نشت توان پیشنهاد شده و نتایج بهتری نسبت به سلول نیمه افزایشگر استاندارد ارائه شده است. MTCMOS تکنیک سطح موثر است که عملکرد و طراحی سلول کم قدرت را با استفاده از ترانزیستورهای ولتاژ آستانه کم و زیاد بهبود می بخشد. جریان نشت نیمه افزایشگر با استفاده از تکنیک MTCMOS در مقایسه با روش CMOS به میزان 56.55٪ کاهش می یابد. بنابراین میزان مصرف توان نشتی نیمه افزایشگر نسبت به روش CMOS به میزان 35.23٪ کاهش می یابد. تمام نتایج شبیه سازی بر اساس تکنولوژی 45nm CMOSبوده و شبیه سازی شده توسط ابزار وزن انجام شده است
لغات کلیدی: نیم افزایشگر، پرسرعت، کم توان، MTCMOS، CMOS
A Novel High Speed & Power Efficient Half Adder Design Using MTCMOS Technique in 45 Nanometre Regime
Abstract-
A novel
high speed low power half adder cell is proposed in this paper.The critical path consist of an AND gate
and an EX-OR gate.This cell offers higher speed lower power consumption than the standard implementation of the half adder. In this paper a MTCMOS(Multi Threshold Complementary Metal Oxide Semiconductor) technique
is proposed to reduce the leakage current and leakage power also and got better result as compared to standard
half adder cell. MTCMOS is an effective circuit level technique that improves the performance and design low power cell by utilizing both low and high threshold voltage transistors.Leakage current of half adder is reduced
by 56.55% using MTCMOS technique as compared to CMOS technique.Leakage power consumption of the half adder therefore reduced by 35.23% as compared to CMOS technique.All the simulation result based on 45nm
CMOS technology and simulated by cadence tool.
Keywords-
Half Adder,
High Speed,
Low Power,
MTCMOS,
CMOS
کد:13163
دانلود رایگان فایل انگلیسی:
رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com
دانلود مقاله دات کام 
توضیحات محصول
دانلود مقاله طراحي نیم افزایشگر کم مصرف و سرعت بالا با استفاده از تکنيک MTCMOS در حالت 45 نانومتر
تعداد کلمات فایل انگلیسی:1500 کلمه 5 صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:14 صفحه word فونت 12 B Nazanin
طراحي نیم افزایشگر کم مصرف و سرعت بالا با استفاده از تکنيک MTCMOS در حالت 45 نانومتر
چکیده
در این مقاله یک سلول نیمه افزایشگر کم قدرت با سرعت بالا جدید ارائه شده است. مسیر بحرانی از دروازه AND و یک دروازه EX-OR تشکیل شده است. این سلول سرعت بالاتر، مصرف انرژی پایین تر را نسبت به اجرای استاندارد نیم افزایش دهنده ارائه میدهد. در این مقاله یک تکنیک MTCMOS (نیمه هادی اکسید فلزی مکمل چند آستانه ای) برای کاهش جریان نشت و نشت توان پیشنهاد شده و نتایج بهتری نسبت به سلول نیمه افزایشگر استاندارد ارائه شده است. MTCMOS تکنیک سطح موثر است که عملکرد و طراحی سلول کم قدرت را با استفاده از ترانزیستورهای ولتاژ آستانه کم و زیاد بهبود می بخشد. جریان نشت نیمه افزایشگر با استفاده از تکنیک MTCMOS در مقایسه با روش CMOS به میزان 56.55٪ کاهش می یابد. بنابراین میزان مصرف توان نشتی نیمه افزایشگر نسبت به روش CMOS به میزان 35.23٪ کاهش می یابد. تمام نتایج شبیه سازی بر اساس تکنولوژی 45nm CMOSبوده و شبیه سازی شده توسط ابزار وزن انجام شده است
لغات کلیدی: نیم افزایشگر، پرسرعت، کم توان، MTCMOS، CMOS
کد:13163
دانلود رایگان فایل انگلیسی:
رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com