ترجمه مقاله ارتباط بهبود همزمان در ویژگی های نوری و الکتریکی با استفاده از ساختار ارایش هرمی معکوس به سمت اس ای سلول خورشیدی ناهمگون کارامد
تعداد کلمات فایل انگلیسی:3280 کلمه 6صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه :10 صفحه فونت 14 (word Arial (Body CS
انرژی نانو
ارتباط بهبود همزمان در ویژگی های نوری و الکتریکی با استفاده از ساختار ارایش هرمی معکوس به سمت اس ای سلول خورشیدی ناهمگون کارامد
هیسینگ-پینگ وانگ, ان چنگ لی, تزو پن لی, چر هاو هی
کامپیوتر,برق و علوم ریاضی و مهندسی (CEMSF)بخش دانشکاه ملک عبدلله علم و صنعت-6900-23955 عربستان سعودی
اطلاعات مقاله
تاریخچه مقاله
این مقاله در تاریخ 12 نوامبر 2015 و به شکل تغییر یافته در 6 فوریه 2016 دریافت شد و در 15 فوریه 2016مورد قبول واقع گردیید و در 2 مارچ 2016 به صورت انلاین در دسترس قرار گرفت.
کلمات کلیدی
هرم معکوس,مدیریت فوتون, ناهمگون, سلولهای خورشبدی
چکیده:
SI ناهمگون سلول خورشیدی در حال حاضر محبوبترین طرح در SI متبلور فتولتائیک به علت ولتاژ مدار باز بالاست.مدیریت فوتون توسط سطح تکنیک ساختار برای کنترل نور ورودی به دستگاه ها برای افزایش بازده سلول حیاتی است و معمولا با از دست دادن voc که ناشی از نو ترکیبی سطح میشود.برای اولین بار ساختار هرم معکوس دوره ای ساخته شده توسط فرایند های فتولیتوگرافی و اچ ناهمسان بوده که کار برای سیستم خورشیدی انجام داده است.که بهبود همزمان در خصوصیات نوری و الکتریکی را نشان می داد.(به عنوان مثال اتصال کوتاه چگالی جریانjscو voc).ساختار دوره ای IP خواص برداشت نور به عنوان بسیاری از اشعه های که سه بار بر روی دیوار های IPS جهیده اند اما تنها دوبار بین اهرام تصادفی پریده است را نشان میدهد.اقلیت بالا طول عمر ساختار حامل IP بعد از SIH باعث افزایش غیر فعالی VOC شده است که جمع اوری حامل بهبود یافته یا توجه به غیر فعالی عالی از ساختار IPبراساس ساختار تصادفی VP را نشان میدهد.توانایی انتی ریفلکسیو و غیر فعالی باعث نشان دادن اینکه ساختار IP قابلیت جایگزینی بالقوه ساختار متعارف VP را برای افزایش بهره وری در برنامه های کاربردی سلول های خورشیدی را دارد میشود.چگونگی بهینه سازی تناسب بین بدست اوردن بصری و از دست دان الکتریکی و یا حتی به طور همزمان هر دو ویژگی را ارتقا دادن به مسئله مهم برای مدیریت فوتون شده است.ساختار ناهمگون برای انواع مختلف سلولهای خورشیدی مورد مطالعه قرار گرفته است,درکل سلولهای خورشیدی بزرگ باید حداکثر حاملهای فوتونی با جذب پهنای باند در منطقه فعال را تولید کنند.اما برای اطمینان از این حامل فوتونی تولید شده می توان به طور موثر به جمع اوری با حداقل نوترکیبی زمانی که انها بر پایانه های دستکاه سفر میکنند بپردازیم.نوترکیبی بالا اشباع جریان دیود ها را افزایش میدهد و VOCرا کاهش میدهد.با وارد کردن یک فیلم با فضای خالی گسترده نوترکیبی حاملها به طور کار امدی به دلیل گروه های زیادی از مجموعه روابط ناهمگون که منجر به VOC بالاتر میشوند را کاهش میدهد.
مقدمه:
تولید انرژی در دستکاه های فتوولتائیک(PV)با بهبود مستمر در طراحی سلول تبدیل به بهره وری حیاتی سلول شد.تلاشهای تحقیقاتی زیادی بر روی مدیریت فوتون تمرکز کردند تا به دقت نور را در لایه های فعال که حامل تولید فوتون است به طور موثر کنترل کنند.با این حال بیشتر طرح های به دام انداختن نور توسط به کار گیری تکنیک های ساختار سطحی معمولا همراه با تلفات برقی همراه می باشد.(به عنوان مثال ترکیب دوباره حامل با سطوح ضعیف شده ویا تماس با تلفات).
Communication
Concurrent improvement in optical and electrical characteristics by using inverted pyramidal array structures toward efficient Si heterojunction solar cells
Hsin-Ping Wang1, An-Cheng Li1, Tzu-Yin Lin, Jr-Hau Hen
ABSTRACT
The Si heterojunction (SHJ) solar cell is presently the most popular design in the crystalline Si (c-Si) photovoltaics due to the high open-circuit voltages (VOC). Photon management by surface structuring techniques to control the light entering the devices is critical for boosting cell efficiency although it usually comes with the VOC loss caused by severe surface recombination. For the first time, the periodic inverted pyramid (IP) structure fabricated by photolithography and anisotropic etching processes was employed for SHJ solar cells, demonstrating concurrent improvement in optical and electrical characteristics (i.e., short-circuit current density (JSC) and VOC). Periodic IP structures show superior light-harvesting properties as most of the incident rays bounce three times on the walls of the IPs but only twice between conventional random upright pyramids (UPs). The high minority carrier lifetime of the IP structures after a-Si:H passivation results in an enhanced VOC by 28 mV, showing improved carrier collection efficiency due to the superior passivation of the IP structure over the random UP structures. The superior antireflective (AR) ability and passivation results demonstrate that the IP structure has the potential to replace conventional UP structures to further boost the efficiency in solar cell applications.
Article history:
Received 12 November 2015
Received in revised form
6 February 2016
Accepted 15 February 2016
Available online 2 March 2016
Keywords: Inverted pyramid Photon management Heterojunction Solar cells
کد:9570
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
رمز فایل :www.downloadmaghaleh.com
دانلود مقاله دات کام 
توضیحات محصول
ترجمه مقاله ارتباط بهبود همزمان در ویژگی های نوری و الکتریکی با استفاده از ساختار ارایش هرمی معکوس به سمت اس ای سلول خورشیدی ناهمگون کارامد
تعداد کلمات فایل انگلیسی:3280 کلمه 6صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه :10 صفحه فونت 14 (word Arial (Body CS
انرژی نانو
ارتباط بهبود همزمان در ویژگی های نوری و الکتریکی با استفاده از ساختار ارایش هرمی معکوس به سمت اس ای سلول خورشیدی ناهمگون کارامد
هیسینگ-پینگ وانگ, ان چنگ لی, تزو پن لی, چر هاو هی
کامپیوتر,برق و علوم ریاضی و مهندسی (CEMSF)بخش دانشکاه ملک عبدلله علم و صنعت-6900-23955 عربستان سعودی
اطلاعات مقاله
تاریخچه مقاله
این مقاله در تاریخ 12 نوامبر 2015 و به شکل تغییر یافته در 6 فوریه 2016 دریافت شد و در 15 فوریه 2016مورد قبول واقع گردیید و در 2 مارچ 2016 به صورت انلاین در دسترس قرار گرفت.
کلمات کلیدی
هرم معکوس,مدیریت فوتون, ناهمگون, سلولهای خورشبدی
چکیده:
SI ناهمگون سلول خورشیدی در حال حاضر محبوبترین طرح در SI متبلور فتولتائیک به علت ولتاژ مدار باز بالاست.مدیریت فوتون توسط سطح تکنیک ساختار برای کنترل نور ورودی به دستگاه ها برای افزایش بازده سلول حیاتی است و معمولا با از دست دادن voc که ناشی از نو ترکیبی سطح میشود.برای اولین بار ساختار هرم معکوس دوره ای ساخته شده توسط فرایند های فتولیتوگرافی و اچ ناهمسان بوده که کار برای سیستم خورشیدی انجام داده است.که بهبود همزمان در خصوصیات نوری و الکتریکی را نشان می داد.(به عنوان مثال اتصال کوتاه چگالی جریانjscو voc).ساختار دوره ای IP خواص برداشت نور به عنوان بسیاری از اشعه های که سه بار بر روی دیوار های IPS جهیده اند اما تنها دوبار بین اهرام تصادفی پریده است را نشان میدهد.اقلیت بالا طول عمر ساختار حامل IP بعد از SIH باعث افزایش غیر فعالی VOC شده است که جمع اوری حامل بهبود یافته یا توجه به غیر فعالی عالی از ساختار IPبراساس ساختار تصادفی VP را نشان میدهد.توانایی انتی ریفلکسیو و غیر فعالی باعث نشان دادن اینکه ساختار IP قابلیت جایگزینی بالقوه ساختار متعارف VP را برای افزایش بهره وری در برنامه های کاربردی سلول های خورشیدی را دارد میشود.چگونگی بهینه سازی تناسب بین بدست اوردن بصری و از دست دان الکتریکی و یا حتی به طور همزمان هر دو ویژگی را ارتقا دادن به مسئله مهم برای مدیریت فوتون شده است.ساختار ناهمگون برای انواع مختلف سلولهای خورشیدی مورد مطالعه قرار گرفته است,درکل سلولهای خورشیدی بزرگ باید حداکثر حاملهای فوتونی با جذب پهنای باند در منطقه فعال را تولید کنند.اما برای اطمینان از این حامل فوتونی تولید شده می توان به طور موثر به جمع اوری با حداقل نوترکیبی زمانی که انها بر پایانه های دستکاه سفر میکنند بپردازیم.نوترکیبی بالا اشباع جریان دیود ها را افزایش میدهد و VOCرا کاهش میدهد.با وارد کردن یک فیلم با فضای خالی گسترده نوترکیبی حاملها به طور کار امدی به دلیل گروه های زیادی از مجموعه روابط ناهمگون که منجر به VOC بالاتر میشوند را کاهش میدهد.
مقدمه:
تولید انرژی در دستکاه های فتوولتائیک(PV)با بهبود مستمر در طراحی سلول تبدیل به بهره وری حیاتی سلول شد.تلاشهای تحقیقاتی زیادی بر روی مدیریت فوتون تمرکز کردند تا به دقت نور را در لایه های فعال که حامل تولید فوتون است به طور موثر کنترل کنند.با این حال بیشتر طرح های به دام انداختن نور توسط به کار گیری تکنیک های ساختار سطحی معمولا همراه با تلفات برقی همراه می باشد.(به عنوان مثال ترکیب دوباره حامل با سطوح ضعیف شده ویا تماس با تلفات).
Communication
Concurrent improvement in optical and electrical characteristics by using inverted pyramidal array structures toward efficient Si heterojunction solar cells
Hsin-Ping Wang1, An-Cheng Li1, Tzu-Yin Lin, Jr-Hau Hen
ABSTRACT
The Si heterojunction (SHJ) solar cell is presently the most popular design in the crystalline Si (c-Si) photovoltaics due to the high open-circuit voltages (VOC). Photon management by surface structuring techniques to control the light entering the devices is critical for boosting cell efficiency although it usually comes with the VOC loss caused by severe surface recombination. For the first time, the periodic inverted pyramid (IP) structure fabricated by photolithography and anisotropic etching processes was employed for SHJ solar cells, demonstrating concurrent improvement in optical and electrical characteristics (i.e., short-circuit current density (JSC) and VOC). Periodic IP structures show superior light-harvesting properties as most of the incident rays bounce three times on the walls of the IPs but only twice between conventional random upright pyramids (UPs). The high minority carrier lifetime of the IP structures after a-Si:H passivation results in an enhanced VOC by 28 mV, showing improved carrier collection efficiency due to the superior passivation of the IP structure over the random UP structures. The superior antireflective (AR) ability and passivation results demonstrate that the IP structure has the potential to replace conventional UP structures to further boost the efficiency in solar cell applications.
Article history:
Received 12 November 2015
Received in revised form
6 February 2016
Accepted 15 February 2016
Available online 2 March 2016
Keywords: Inverted pyramid Photon management Heterojunction Solar cells
کد:9570
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
رمز فایل :www.downloadmaghaleh.com