عمران-اندازه گيري هاي كامل تانسور كرنش و تنش از سلول هاي در رفتگي مجزا از طريق مس ميان si
تعداد کلمات فایل انگلیسی:4799 کلمه 8صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:30 صفحه word فونت 14 B Nazanin
اندازه گيري هاي كامل تانسور كرنش و تنش از سلول هاي در رفتگي مجزا از طريق مس ميان si
خلاصه
اندازه گيري هاي غير مخرب از تانسورهاي كرنش وتنش كشسان كامل از سلول هاي در رفتگي فردي توزيع شده، در حوزهي مس پلي كريستال كامل، از طريق درون si گزارش شده است. تعيين تمام اجزاي اين تانسورها از حوزه هاي زير ميكرومتر درون فلزات تغيير شكل يافته چالش هاي قابل ملاحظه اي را ارايه مي دهد . مسايل اوليه تضمين مي كنند كه قله هاي انكسار مختلف از حجم نمونه ي مشابه نشات مي گيرد و تعيين دقيق از موقعيت هاي قله نمونه تغيير شكل يافته ساخته مي شود. براي اين اندازه گيري ها، ٣ بازتاب جداشده به صورت گسترده از دانه هاي فردي انتخاب شده مورد بررسي قرار مي گيرد.فواصل شبكه و موقعيت هاي قله براي چندين در رفتگي سلول داخلي در هر دانه اندازه گيري مي شودو با استفاده از زاويه شامل اندازه گيري ها، مرتب سازي مي شود.يك تحليل جامع عدم قطعيت با استفاده از يك الگوريتم عدم قطعيت مونت كارلو ، عدم قطعيت ها براي كشش قابل ارتجاع تانسور و اجزاي فشار تانسور را فراهم مي كند.
Full elastic strain and stress tensor measurements from individual dislocation cells in copper through-Si vias
Lyle E. Levine,a* Chukwudi Okorob and Ruqing Xuc
Received 9 March 2015 Accepted 11 August 201 5
Edited by S. M. Heald, Argonne National Laboratory, USA
Keywords: full elastic strain; stress tensor measurement; copper through-Si vias; microelectronics.
aMaterials Science and Engineering Division, National Institute of Standards and Technology, 100 Bureau Drive, STOP 8553, Gaithersburg, Maryland 20899-8553, USA, bSemiconductor and Dimensional Metrology Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland 20899-8120, USA, and ‘Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439-4800, USA. ^Correspondence e-mail: lyle.levine@nist.gov
Nondestructive measurements of the full elastic strain and stress tensors from individual dislocation cells distributed along the full extent of a 50 (j,m-long polycrystalline copper via in Si is reported. Determining all of the components of these tensors from sub-micrometre regions within deformed metals presents considerable challenges. The primary issues are ensuring that different diffraction peaks originate from the same sample volume and that accurate determination is made of the peak positions from plastically deformed samples. For these measurements, three widely separated reflections were examined from selected, individual grains along the via. The lattice spacings and peak positions were measured for multiple dislocation cell interiors within each grain and the cell-interior peaks were sorted out using the measured included angles. A comprehensive uncertainty analysis using a Monte Carlo uncertainty algorithm provided uncertainties for the elastic strain tensor and stress tensor components.
عمران-اندازه گيري هاي كامل تانسور
کد:9626
دانلود مقاله دات کام 
توضیحات محصول
عمران-اندازه گيري هاي كامل تانسور كرنش و تنش از سلول هاي در رفتگي مجزا از طريق مس ميان si
تعداد کلمات فایل انگلیسی:4799 کلمه 8صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:30 صفحه word فونت 14 B Nazanin
اندازه گيري هاي كامل تانسور كرنش و تنش از سلول هاي در رفتگي مجزا از طريق مس ميان si
خلاصه
اندازه گيري هاي غير مخرب از تانسورهاي كرنش وتنش كشسان كامل از سلول هاي در رفتگي فردي توزيع شده، در حوزهي مس پلي كريستال كامل، از طريق درون si گزارش شده است. تعيين تمام اجزاي اين تانسورها از حوزه هاي زير ميكرومتر درون فلزات تغيير شكل يافته چالش هاي قابل ملاحظه اي را ارايه مي دهد . مسايل اوليه تضمين مي كنند كه قله هاي انكسار مختلف از حجم نمونه ي مشابه نشات مي گيرد و تعيين دقيق از موقعيت هاي قله نمونه تغيير شكل يافته ساخته مي شود. براي اين اندازه گيري ها، ٣ بازتاب جداشده به صورت گسترده از دانه هاي فردي انتخاب شده مورد بررسي قرار مي گيرد.فواصل شبكه و موقعيت هاي قله براي چندين در رفتگي سلول داخلي در هر دانه اندازه گيري مي شودو با استفاده از زاويه شامل اندازه گيري ها، مرتب سازي مي شود.يك تحليل جامع عدم قطعيت با استفاده از يك الگوريتم عدم قطعيت مونت كارلو ، عدم قطعيت ها براي كشش قابل ارتجاع تانسور و اجزاي فشار تانسور را فراهم مي كند.
Full elastic strain and stress tensor measurements from individual dislocation cells in copper through-Si vias
Lyle E. Levine,a* Chukwudi Okorob and Ruqing Xuc
Received 9 March 2015 Accepted 11 August 201 5
Edited by S. M. Heald, Argonne National Laboratory, USA
Keywords: full elastic strain; stress tensor measurement; copper through-Si vias; microelectronics.
aMaterials Science and Engineering Division, National Institute of Standards and Technology, 100 Bureau Drive, STOP 8553, Gaithersburg, Maryland 20899-8553, USA, bSemiconductor and Dimensional Metrology Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland 20899-8120, USA, and ‘Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439-4800, USA. ^Correspondence e-mail: lyle.levine@nist.gov
Nondestructive measurements of the full elastic strain and stress tensors from individual dislocation cells distributed along the full extent of a 50 (j,m-long polycrystalline copper via in Si is reported. Determining all of the components of these tensors from sub-micrometre regions within deformed metals presents considerable challenges. The primary issues are ensuring that different diffraction peaks originate from the same sample volume and that accurate determination is made of the peak positions from plastically deformed samples. For these measurements, three widely separated reflections were examined from selected, individual grains along the via. The lattice spacings and peak positions were measured for multiple dislocation cell interiors within each grain and the cell-interior peaks were sorted out using the measured included angles. A comprehensive uncertainty analysis using a Monte Carlo uncertainty algorithm provided uncertainties for the elastic strain tensor and stress tensor components.
عمران-اندازه گيري هاي كامل تانسور
کد:9626