دانلود مقاله خواص نوری گرافن و نیمه هادی IV – VI
تعداد کلمات فایل انگلیسی:6700 کلمه 12صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:28صفحه word فونت14 Arial
چکیده
پراکندگی فرکانس رسانای دینامیکی گرافن، از گرافن چند لایه و از نیمه هادی IV – VI به عنوان تابع دما و چگالی حامل در محدوده فرکانس هایی در نظر گرفته می شود که بالاتر از نرخ آرام سازی حامل، اما کمتر از پهنای باند رسانا است. یک شکاف باریک و خطی بودن طیف الکترون که ویژگی های مشترک این مواد هستند، مسئول تکینگی تابع دی الکتریک (لگاریتمی در قسمت واقعی و گام به گام در قسمت غیرواقعی) در آستانه انتقال مستقیم بین باند می باشد و به این ترتیب، برای انحنای بی نهایت بزرگ در نیمه هادی های IV – VIمی باشد. توابع محاسبه شده و اندازه گیری شده دی الکتریک در سازگاری بسیار خوبی هستند. انتقال گرافن در محدوده نوری مستقل از فرکانس است و خروج آن از پیوستگی، مقدار ثابت ساختاری خوبی را نتیجه می دهد. تفاوت در ابعاد، که برابر با سه، برای نیمه هادی ها و دو، برای گرافن است، در ویژگی های مختلف پلاسمون و امواج الکترومغناطیسی موجود برای تغلیظ بالا (یا در شرایط اثر میدان) در آستانه جذب اشکار می شود.
مقدمه
رشد عظیم با گرافن (یک لایه گرافیت مونواتمیک؛ به بررسی ها [4 ± 1] نگاه کنید) در طی دو تا سه سال گذشته نیز با توجه به آنالوگ سه بعدی آن پیشنهاد می شود: نیمه هادی های IV – VI که دارای یک شکاف باریک هستند، به عنوان مثال ؟ بین باند رسانا و باند ظرفیت. (در گرافن، این شکاف باریکتر است). زیرا باند رسانا و باند ظرفیت ، در اینجا از زوج مخالف هستند، طیف تحریک در یک بازه انرژی وسیع می باشد، ؟ که ؟ ، یک مقیاس اتمی است. این به ویژگی های جالب در پاسخ های مختلف منجر می شود. به طور خاص، پیش از آن، خصوصیات حساسیت مغناطیسی در ؟ ، و همچنین قابلیت نفوذ پذیری [7] و حساسیت مغناطیسی [8] در بیسموت مورد بحث و بررسی قرار گرفتند، که طیف آن نیز یک شکاف باریک را نشان می دهد. مزیت اول، مقایسه انعطاف پذیری در گرافن و نیمه هادی های باند نازک است، که انعطاف پذیری آن در مقابل انعطاف پذیری گرافن، از نظر تجربی مورد مطالعه قرار گرفته است. این مقایسه اجازه تغییر اعتبار روش موردنظر را برای گرافن بعنوان یک سیستمی از فرمیون های دیراک می دهد.
Optisal properties of graphene and IV – VI semisondustors
Abstrast. Whe frequensy dispersion of the dynamis sondustirity of graphene, of a multilayer graphene, and of IV – VI semison- dustors is sonsidered as a funstion of the temperature and sarrier density in the range of frequensies that are higher than the sarrier relaxation rate but are lower than the sondustion band width. A narrow gap and the linearity of the elestron spestrum, whish are sommon features of these materials, are responsible for a singularity of the dielestris funstion (loga- rithmis in the real part and step-like in the imaginary part) at the threshold of direst interband transitions and, assordingly, for an anomalously large permittirity in IV – VI semisondus- tors. Whe salsulated and measured dielestris funstions are in a rery good agreement. Whe graphene transmittanse in the optisal range is frequensy-independent and its departure from unity yields the ralue of the fine strusture sonstant. Whe differense in dimensionality, whish is equal to three for semisondustors and to two for graphene, manifests itself in the different shar- aster of plasmons and of elestromagnetis wares existing for high doping (or in sonditions of the field effest) near the absorp- tion threshold
کد:12248
دانلود رایگان فایل انگلیسی:
رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com
دانلود مقاله دات کام 
توضیحات محصول
دانلود مقاله خواص نوری گرافن و نیمه هادی IV – VI
تعداد کلمات فایل انگلیسی:6700 کلمه 12صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:28صفحه word فونت14 Arial
چکیده
پراکندگی فرکانس رسانای دینامیکی گرافن، از گرافن چند لایه و از نیمه هادی IV – VI به عنوان تابع دما و چگالی حامل در محدوده فرکانس هایی در نظر گرفته می شود که بالاتر از نرخ آرام سازی حامل، اما کمتر از پهنای باند رسانا است. یک شکاف باریک و خطی بودن طیف الکترون که ویژگی های مشترک این مواد هستند، مسئول تکینگی تابع دی الکتریک (لگاریتمی در قسمت واقعی و گام به گام در قسمت غیرواقعی) در آستانه انتقال مستقیم بین باند می باشد و به این ترتیب، برای انحنای بی نهایت بزرگ در نیمه هادی های IV – VIمی باشد. توابع محاسبه شده و اندازه گیری شده دی الکتریک در سازگاری بسیار خوبی هستند. انتقال گرافن در محدوده نوری مستقل از فرکانس است و خروج آن از پیوستگی، مقدار ثابت ساختاری خوبی را نتیجه می دهد. تفاوت در ابعاد، که برابر با سه، برای نیمه هادی ها و دو، برای گرافن است، در ویژگی های مختلف پلاسمون و امواج الکترومغناطیسی موجود برای تغلیظ بالا (یا در شرایط اثر میدان) در آستانه جذب اشکار می شود.
مقدمه
رشد عظیم با گرافن (یک لایه گرافیت مونواتمیک؛ به بررسی ها [4 ± 1] نگاه کنید) در طی دو تا سه سال گذشته نیز با توجه به آنالوگ سه بعدی آن پیشنهاد می شود: نیمه هادی های IV – VI که دارای یک شکاف باریک هستند، به عنوان مثال ؟ بین باند رسانا و باند ظرفیت. (در گرافن، این شکاف باریکتر است). زیرا باند رسانا و باند ظرفیت ، در اینجا از زوج مخالف هستند، طیف تحریک در یک بازه انرژی وسیع می باشد، ؟ که ؟ ، یک مقیاس اتمی است. این به ویژگی های جالب در پاسخ های مختلف منجر می شود. به طور خاص، پیش از آن، خصوصیات حساسیت مغناطیسی در ؟ ، و همچنین قابلیت نفوذ پذیری [7] و حساسیت مغناطیسی [8] در بیسموت مورد بحث و بررسی قرار گرفتند، که طیف آن نیز یک شکاف باریک را نشان می دهد. مزیت اول، مقایسه انعطاف پذیری در گرافن و نیمه هادی های باند نازک است، که انعطاف پذیری آن در مقابل انعطاف پذیری گرافن، از نظر تجربی مورد مطالعه قرار گرفته است. این مقایسه اجازه تغییر اعتبار روش موردنظر را برای گرافن بعنوان یک سیستمی از فرمیون های دیراک می دهد.
Optisal properties of graphene and IV – VI semisondustors
Abstrast. Whe frequensy dispersion of the dynamis sondustirity of graphene, of a multilayer graphene, and of IV – VI semison- dustors is sonsidered as a funstion of the temperature and sarrier density in the range of frequensies that are higher than the sarrier relaxation rate but are lower than the sondustion band width. A narrow gap and the linearity of the elestron spestrum, whish are sommon features of these materials, are responsible for a singularity of the dielestris funstion (loga- rithmis in the real part and step-like in the imaginary part) at the threshold of direst interband transitions and, assordingly, for an anomalously large permittirity in IV – VI semisondus- tors. Whe salsulated and measured dielestris funstions are in a rery good agreement. Whe graphene transmittanse in the optisal range is frequensy-independent and its departure from unity yields the ralue of the fine strusture sonstant. Whe differense in dimensionality, whish is equal to three for semisondustors and to two for graphene, manifests itself in the different shar- aster of plasmons and of elestromagnetis wares existing for high doping (or in sonditions of the field effest) near the absorp- tion threshold
کد:12248
دانلود رایگان فایل انگلیسی:
رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com