دانلود مقاله علمی

توضیحات محصول

دانلود مقاله طراحی و ارزيابي مدارهاي چهار گوشه مبتني بر CNFET

تعداد کلمات فایل انگلیسی:5000 کلمه 22 صفحه pdf

تعداد صفحات فایل ترجمه:34 صفحه word فونت 14 B Nazanin

طراحی و ارزيابي مدارهاي چهار گوشه مبتني بر CNFET

چکیده

این مقاله مدارهای منطقی چهارگانه با عملکرد بالا و مقاومت  PVT جدید و نیز مدارهای محاسباتی چهار واحدی را برای نانوالکترونیک ارائه می دهد. این مدارهای مبتنی بر FET (CNFET) نانوتیوبهای کربن با تکنولوژی های اخیر سازگار است و براساس معماری CMOS معمولی طراحی شده اند، در حالی که طرح های چهارگانه قبلی از روش هایی استفاده می کنند که برای نانوالکترونیک مناسب نیستند و منسوخ شده اند. طرح های پیشنهادی قوی و دارای حاشیه های نویز زیاد و قابلیت درایو بالا هستند. خصوصیات منحصر به فرد CNFET ها، مانند توانایی داشتن ولتاژ آستانه مورد نظر با تنظیم قطر نانولوله ها، آنها را برای طراحی مدارهای چندآستانه ای حالت ولتاژ بسیار مناسب می سازد. مدارهای پیشنهادی با استفاده از Synopsys HSPICE با تکنولوژی استاندارد 32nm-CNFET در شرایط مختلف و ولتاژ های مختلف عرضه مورد بررسی قرار می گیرند. نتایج شبیه سازی عملیات صحیح و با عملکرد بالا مدارهای پیشنهادی را حتی در صورت وجود تغییرات فرآیند، ولتاژ و دما نشان می دهد.

کلمات کلیدی: نانوتیوبهای کربنی FET (CNFET) · منطق چهارگانه· مدارهای محاسباتی و منطقی · طراحی چندگانه V  · نانوالکترونیک

Design and Evaluation of CNFET-Based Quaternary Circuits

Abstract This paper presents novel high-performance and PVT tolerant quaternary logic circuits as well as efficient quaternary arithmetic circuits for nanoelectronics. These Carbon Nanotube FET (CNFET)-based circuits are compatible with the re­cent technologies and are designed based on the conventional CMOS architecture, while the previous quaternary designs used methods which are not suitable for na­noelectronics and have become obsolete. The proposed designs are robust and have large noise margins and high driving capability. The singular characteristics of CN-FETs, such as the capability of having the desired threshold voltage by regulat­ing the diameters of the nanotubes, make them very appropriate for voltage-mode multiple-threshold circuits design. The proposed circuits are examined, using Syn-opsys HSPICE with the standard 32 nm-CNFET technology in various situations and different supply voltages. Simulation results demonstrate the correct and high-performance operation of the proposed circuits even in the presence of process, volt­age and temperature variations.

Keywords Carbon nanotube FET (CNFET) ■ Quaternary logic ■ Arithmetic and logic circuits ■ Multiple- Vm design ■ Nanoelectronics

کد:1-12999

دانلود رایگان فایل انگلیسی:

رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com

 

دانلود مقاله طراحی و ارزيابي مدارهاي چهار گوشه مبتني بر CNFET

نظری بدهید

4 × 4 =