دانلود مقاله یک LNA با قابلیت پیکربندی مجدد برای گیرنده های مولتی استانداردی که از تکنولوژی CMOS 0.18 میکرونی استفاده میکنند.
تعداد کلمات فایل انگلیسی:2850کلمه 4صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:10صفحه word فونت14 Arial
خلاصه:
این مقاله طراحی تقویت کننده های نویز پایین ( LNA ) برای گیرنده های چند بانده ی مالتی استاندارد را توضیح میدهد. در این طراحی، از توپولوژی IDCS استفاده شده است زیرا ثابت شده است که این توپولوژی در طراحی LNA های چندبانده مالتی استاندارد انتخاب مناسبی است. طراحی از تکنولوژی CMOS 0.18 میکرونی استفاده میکند. LNA با قابلیت پیکربندی مجدد برای استفاده در دو باند استاندارد طراحی شده است که شامل باندهای از محدوده 800 تا 1000 مگاهرتز ( باندهای پایینی) و 1800 تا 2200 مگاهرتز ( باند بالایی) میشود. نتایج شبیه سازی نشان میدهند که موارد ذیل LNA را برای استفاده در ارتباطات موبایلی مناسب تر میکند: بهره S21 از محدوده 12.9 دسی بل برای باند پایینی و 12.4 دسی بل برای باند بالایی؛ بازتاب ورودی S11 از محدوده 14.5 دسی بل، و 17.2 دسی بل برای هردو باند؛ افت برگشتی خروجی S22 از محدوده 14.7 دسی بل و 26 دسی بل برای هردو باند پایینی و بالایی. LNA همچنین نویز 2.55 و 2.3 دسی بل را به ترتیب برای هردو باند بالایی و پاییینی نشان میدهد. مدار وقتی در حالت باند پایین کار میکند 26.5 mW و وقتی در حالت باند بالا کار میکند 18.8 mW مصرف میکند.
مقدمه
وسیله های متحرک به صورت گسترده ای برای طیف وسیعی از کاربردها همانند تلفن های همراه، کامپیوترهای شخصی و غیره مورد استفاده قرار میگیرند. با این حال عملکرد این وسایل با توجه به میزان پشتیبانی از شبکه و میزان قایلیت تحرک و نیز کارایی محدود میشود. نرم افزارهای امروزی به نرخ داده بالا و پویایی بالا دارند که میتوانند با مشارکت بین استاندارهای نسل دوم و سوم ( 2G,3G ) به دست بیایند. بنابراین تحقیقات اخیر در زمینه ارتباطات بی سیم منجر به دستیابی به پایانه های چند بانده – مالتی استاندارد شده است که می توانند به طور موثری از از استانداردهای ارتباطاتی همانند استاندارد جعانی موبایل (GSM2009) ، سیستم های سلولی دیجیتال (DCS1800)، سیستم ارتباطات شخصی (PCS1900) و نیز از استانداردهای 3G مثل سیستم ارتباطات جهانی (UMTS) پشتیبانی کنند.
A Reconfigurable LNA for Multi-Standard Receiver using 0.18 µm CMOS Technology.
Abstract—This paper presents the design of a reconfigurable low noise amplifier (LNA) for multi-standard multi-band receiver. In this design, inductively-degenerated common-source (IDCS) topology is chosen as it has been proven to be a good choice in designing multi-standard multi-band LNA. The design is using0.18 µm CMOS technology. The reconfigurable LNA has been designed to operate in two bands of standards consisting the bands range from 800 to 1000-MHz (lower band) and 1800 to 2200-MHz (upper band). The simulation results exhibit gain S21 of 12.9-dB for lower band and 12.4-dB for upper band, input reflection S11 of -14.5-dB and -17.2-dB for both bands, and output return loss S22 of -14.7-dB and -26-dB for lower and upper band making the LNA suitable for most of the mobile communication applications. The LNA also exhibits the noise of figure of 2.55-dB and 2.3-dB for lower and upper band respectively. The circuit consumes 26.5 mW when operating in lower band mode and uses 18.8 mW of power when operating in upper band mode.
- کد:2-9373
- دانلود رایگان فایل انگلیسی:
- رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com
دانلود مقاله دات کام 
توضیحات محصول
دانلود مقاله یک LNA با قابلیت پیکربندی مجدد برای گیرنده های مولتی استانداردی که از تکنولوژی CMOS 0.18 میکرونی استفاده میکنند.
تعداد کلمات فایل انگلیسی:2850کلمه 4صفحه pdf
تعداد صفحات فایل ترجمه:10صفحه word فونت14 Arial
خلاصه:
این مقاله طراحی تقویت کننده های نویز پایین ( LNA ) برای گیرنده های چند بانده ی مالتی استاندارد را توضیح میدهد. در این طراحی، از توپولوژی IDCS استفاده شده است زیرا ثابت شده است که این توپولوژی در طراحی LNA های چندبانده مالتی استاندارد انتخاب مناسبی است. طراحی از تکنولوژی CMOS 0.18 میکرونی استفاده میکند. LNA با قابلیت پیکربندی مجدد برای استفاده در دو باند استاندارد طراحی شده است که شامل باندهای از محدوده 800 تا 1000 مگاهرتز ( باندهای پایینی) و 1800 تا 2200 مگاهرتز ( باند بالایی) میشود. نتایج شبیه سازی نشان میدهند که موارد ذیل LNA را برای استفاده در ارتباطات موبایلی مناسب تر میکند: بهره S21 از محدوده 12.9 دسی بل برای باند پایینی و 12.4 دسی بل برای باند بالایی؛ بازتاب ورودی S11 از محدوده 14.5 دسی بل، و 17.2 دسی بل برای هردو باند؛ افت برگشتی خروجی S22 از محدوده 14.7 دسی بل و 26 دسی بل برای هردو باند پایینی و بالایی. LNA همچنین نویز 2.55 و 2.3 دسی بل را به ترتیب برای هردو باند بالایی و پاییینی نشان میدهد. مدار وقتی در حالت باند پایین کار میکند 26.5 mW و وقتی در حالت باند بالا کار میکند 18.8 mW مصرف میکند.
مقدمه
وسیله های متحرک به صورت گسترده ای برای طیف وسیعی از کاربردها همانند تلفن های همراه، کامپیوترهای شخصی و غیره مورد استفاده قرار میگیرند. با این حال عملکرد این وسایل با توجه به میزان پشتیبانی از شبکه و میزان قایلیت تحرک و نیز کارایی محدود میشود. نرم افزارهای امروزی به نرخ داده بالا و پویایی بالا دارند که میتوانند با مشارکت بین استاندارهای نسل دوم و سوم ( 2G,3G ) به دست بیایند. بنابراین تحقیقات اخیر در زمینه ارتباطات بی سیم منجر به دستیابی به پایانه های چند بانده – مالتی استاندارد شده است که می توانند به طور موثری از از استانداردهای ارتباطاتی همانند استاندارد جعانی موبایل (GSM2009) ، سیستم های سلولی دیجیتال (DCS1800)، سیستم ارتباطات شخصی (PCS1900) و نیز از استانداردهای 3G مثل سیستم ارتباطات جهانی (UMTS) پشتیبانی کنند.
A Reconfigurable LNA for Multi-Standard Receiver using 0.18 µm CMOS Technology.
Abstract—This paper presents the design of a reconfigurable low noise amplifier (LNA) for multi-standard multi-band receiver. In this design, inductively-degenerated common-source (IDCS) topology is chosen as it has been proven to be a good choice in designing multi-standard multi-band LNA. The design is using0.18 µm CMOS technology. The reconfigurable LNA has been designed to operate in two bands of standards consisting the bands range from 800 to 1000-MHz (lower band) and 1800 to 2200-MHz (upper band). The simulation results exhibit gain S21 of 12.9-dB for lower band and 12.4-dB for upper band, input reflection S11 of -14.5-dB and -17.2-dB for both bands, and output return loss S22 of -14.7-dB and -26-dB for lower and upper band making the LNA suitable for most of the mobile communication applications. The LNA also exhibits the noise of figure of 2.55-dB and 2.3-dB for lower and upper band respectively. The circuit consumes 26.5 mW when operating in lower band mode and uses 18.8 mW of power when operating in upper band mode.